| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底上形成FET，在绝缘物的上端上形成具有曲率半径的弯曲表面，对应于该弯曲表面将部分第一电极暴露以便形成倾斜表面，腐蚀限定发光区的区域以便暴露第一电极。通过第一电极的倾斜表面反射从有机化学化合物层发射的光以便提高从确定方向上取出的光的总量。 | ||
| 申请公布号 | CN100380686C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN03124019.4 | 申请日期 | 2003.04.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;濑尾哲史;桑原秀明 |
| 分类号 | H01L31/12(2006.01);H01L27/15(2006.01);H05B33/00(2006.01);G09F9/30(2006.01);G09G3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L31/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：场效应晶体管，具有在半导体衬底中的沟道形成区；发光元件，包括连接到该场效应晶体管的第一电极，在该第一电极上的含有有机化合物的层和在该层上的第二电极；以及绝缘膜，覆盖该第一电极的端部，其中该第一电极具有朝向该第一电极的中心的倾斜表面，并且该倾斜表面反射从该含有有机化合物的层发射的光。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||