| 发明名称 |
Method for epitaxial growth of twin-free (111)-oriented II-VI alloy films on silicon substrates |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0795900(B1) |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
| 申请号 |
EP19970103645 |
申请日期 |
1997.03.05 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
DE LYON, TERRENCE J.;JOHNSON, SCOTT M. |
| 分类号 |
H01L21/36;H01L21/365;H01L21/203;H01L21/363;H01L31/0264 |
主分类号 |
H01L21/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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