| 摘要 |
Einige vorgestellte Ausführungsbeispiele beziehen sich auf eine Vorrichtung zum Ätzen eines Halbleiterwafers und Verfahren zum Herstellen desselben, die eine Mehrzahl von Elektroden, die zum Erzeugen eines Plasmastrahls an eine Stromversorgung gekoppelt sind, und zumindest eine elektromagnetische Strahlungsquelle und eine Waferunterstützung zum Positionieren eines Wafers zum Ätzen mittels des Plasmastrahls umfasst und wobei die Waferunterstützung eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist, die ein Hineiner elektromagnetischen Strahlungsquelle durch die Waferunterstützung erlauben, wodurch diese während des Ätzens auf einer Oberfläche des Wafers auftrifft.
|
