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Bei einem kantenemittierenden Halbleiterlaser, der mehrere monolithisch integrierte Laserdioden (1, 2, 3) enthält, wobei jede Laserdiode (1, 2, 3) eine aktive Zone (11, 12, 13) enthält, sind die aktiven Zonen (11, 12, 13) jeweils zwischen Wellenleiterschichten (6) angeordnet, wobei die Wellenleiterschichten (6) an einer von der aktiven Zone (11, 12, 13) abgewandten Seite jeweils an eine Mantelschicht (7, 8) angrenzen, und wobei die Mantelschichten (7, 8) innere Mantelschichten (7), die oberhalb einer untersten aktiven Zone (11) und unterhalb einer obersten aktiven Zone (13) angeordnet sind, und äußere Mantelschichten (8), die unterhalb der untersten aktiven Zone (11) oder oberhalb der obersten aktiven Zone (13) angeordnet sind, umfassen. Die inneren Mantelschichten (7) weisen dabei eine geringere Dicke auf als die äußeren Mantelschichten (8).
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