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Ein Transistor (61) umfasst einen ersten (51) und einen zweiten (52) Source/Drain-Bereich, einen den ersten (51) und zweiten (52) Source/Drain-Bereich verbindenden Kanalbereich (53) sowie eine einen elektrischen Stromfluss im Kanalbereich (53) steuernde Gateelektrode (23). Die Gateelektrode (23) ist in einem Gategraben (25) angeordnet, der in einer Substratoberfläche (10) eines Halbleitersubstrats (1) definiert ist. Der erste (51) sowie der zweite (52) Source/Drain-Bereich erstrecken sich mindestens bis zu einer auf die Substratoberfläche (10) bezogenen ersten Tiefe (d1). Eine Oberkante der Gateelektrode (23) ist unterhalb der Substratoberfläche in einer auf die Substratoberfläche (10) bezogenen zweiten Tiefe (d2) vorgesehen, die geringer ist als die erste Tiefe (d1). |
