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Ein Speicherzellenfeld (106) weist eine Mehrzahl von Speicherzellen (100) auf. Jede Speicherzelle (100) enthält einen Speicherkondensator und einen Auswahltransistor (16), eine Mehrzahl von in einer ersten Richtung (96) ausgerichteten Bitleitungen (9), eine Mehrzahl von in einer zweiten Richtung (97) ausgerichteten Wortleitungen (8), wobei die zweite Richtung (97) senkrecht zur ersten Richtung (96) liegt, ein Halbleitersubstrat (1) mit einer Oberfläche (10), eine Mehrzahl von in dem Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten aktiven Gebieten (12), wobei jedes aktive Gebiet (12) sich entlang der zweiten Richtung (97) erstreckt, die Auswahltransistoren (16) teilweise in den aktiven Gebieten (2) ausgebildet sind und elektrisch mit zugeordneten Speicherkondensatoren und Bitleitungen (9) verbunden sind, wobei eine Gateelektrode (19) von jedem der Auswahltransistoren (16) mit einer entsprechenden Wortleitung (8) verbunden ist, ein Kondensatordielektrikum (38) des Speicherkondensators eine relative dielektrische Konstante von mehr als 8 aufweist, und die Wortleitungen (8) oberhalb der Bitleitungen (9) angeordnet sind.
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