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Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe zwischen einem oberen und einem unteren Polierteller, wobei die Halbleiterscheibe in einer Aussparung einer Läuferscheibe liegend unter Zufuhr eines Poliermittels beidseitig poliert wird. Das Verfahren umfasst ein beidseitiges Polieren der Halbleiterscheibe in einem ersten Polierschritt, das mit einem negativen Überstand abgeschlossen wird, wobei der Überstand die Differenz zwischen der Dicke der Halbleiterscheibe und der Dicke der Läuferscheibe nach dem ersten Polierschritt ist und ein beidseitiges Polieren der Halbleiterscheibe in einem zweiten Polierschritt, bei dem weniger als 1 µm Material von den Seitenflächen der Halbleiterscheibe poliert wird. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Halbleiterscheibe aus Silicium mit einer polierten Vorderseite und einer polierten Rückseite, mit einer globalen Ebenheit der Vorderseite, ausgedrückt durch einen SBIRmax-Wert von kleiner als 100 nm, und mit einer lokalen Ebenheit der Vorderseite in einem Randbereich, ausgedrückt durch einen PSFQR-Wert von 35 nm oder kleiner, wobei jeweils ein Randausschluss von 2 mm berücksichtigt ist.
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