Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermaterials

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermaterials, wobei bei dem Verfahren auf einem Substrat (10) ein ZnCdO-Material (30, 140) aufgebracht wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das ZnCdO-Material (30, 140) auf dem Substrat (10) mit Molekularstrahlepitaxie bei einer Wachstumstemperatur zwischen 100°C und 250°C aufgewachsen wird.