| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种初始恶化率较小、长寿命的半导体发光元件。半导体激光器元件(101)具有夹持在n型覆盖层(104)与p型覆盖层(109)之间的活性层(106)。p型覆盖层(109)含有镁作为杂质，在活性层(106)与p型覆盖层(109)之间设置了由以In<SUB>x</SUB>Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－x－y</SUB>N(其中，x≥0、y≥0、x+y＜1)表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层(107)。n型防扩散层(107)中的n型杂质的掺杂浓度优选为5×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>－3</SUP>以上且5×10<SUP>19</SUP>cm<SUP>－3</SUP>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101154796A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710153114.X | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，具有由氮化物系化合物半导体构成的n型覆盖层、形成在该n型覆盖层上并由氮化物系化合物构成的活性层、形成在该活性层上并由氮化物系化合物半导体构成的p型覆盖层，其特征在于：所述p型覆盖层含有镁作为杂质；在所述活性层与所述p型覆盖层之间，设置了由以InxAlyGa1-x-yN表示的氮化物系化合物半导体构成的n型防扩散层，其中，x≥0、y≥0、x+y＜1。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||