| 发明名称 | 具有电容器的单片集成SOI电路 | ||
| 摘要 | 一种SOI结构的单片集成电路，其具有包括绝缘层和有单晶区域的硅半导体层的SOI衬底以及电容器，该电容器包括从硅半导体层的单晶区域和包含硅化物的层中形成的底电极、在包含硅化物的层上形成的电容器的电介质、和在电容器的电介质上形成的的顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100379030C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN03805284.9 | 申请日期 | 2003.02.26 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | W·施尼特 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L29/92(2006.01) | 主分类号 | H01L29/94(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.一种SOI结构的单片集成电路，其具有包括绝缘层和有单晶区域的硅半导体层的SOI衬底以及电容器，该电容器包括从硅半导体层的单晶区域和包含硅化物的层中形成的底电极、在包含硅化物的层上形成的电容器的电介质、和在电容器的电介质上形成的顶电极，其中所述包含硅化物的层厚0.1至0.2μm，并具有0.7Ω/方块至1.8Ω/方块的薄层电阻。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||