薄膜晶体管及其制造方法

摘要

提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成。薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上沉积非晶硅并对沉积的非晶硅构图以形成半导体层；在所述半导体层的多个区域上沉积诱导结晶金属层；对衬底上沉积所述诱导结晶金属层的地方进行第一热处理，在所述半导体层中形成金属诱导横向结晶区；和在衬底上形成所述金属诱导横向结晶区的地方以高于所述第一热处理的温度进行第二热处理。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：具有金属诱导横向结晶区的半导体层，该金属诱导横向结晶区具有第一晶粒和设置在所述第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成；设置在所述金属诱导横向结晶区的栅电极；覆盖所述栅电极和所述半导体层的中间层；设置在所述中间层中并暴露所述半导体层的源极/漏极接触孔；设置在所述中间层上并经由所述源极/漏极接触孔与所述半导体层接触的源电极/漏电极，其中，在所述半导体层中，源电极/漏电极的下部区域为第一金属诱导结晶区；及设置在所述源极/漏极接触孔与所述栅电极之间的所述中间层中并暴露所述半导体层的金属孔，其中，在所述半导体层中，所述金属孔的下部区域为第二金属诱导结晶区。