| 发明名称 | 评估栅极介质层电性参数及形成栅极介质层的方法 | ||
| 摘要 | 一种评估栅极介质层电性参数的方法，包括：测量栅极介质层的膜层物理特性参数与所述栅极介质层形成的器件的电性参数；拟合所述物理特性参数与电性参数之间的相关曲线并计算相关系数；找出与电性参数相关系较大的物理特性参数；在线测量栅极介质层物理特性参数；通过与电性参数相关系数较大的物理特性参数预估电性参数。本发明方法能够在线评估栅极介质层电性参数。 | ||
| 申请公布号 | CN101154608A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116856.0 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘云珍;何永根;郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种评估栅极介质层电性参数的方法，包括：测量栅极介质层的膜层物理特性参数与所述栅极介质层形成的器件的电性参数；拟合所述物理特性参数与电性参数之间的相关曲线并计算相关系数；找出与电性参数相关系较大的物理特性参数；在线测量栅极介质层物理特性参数；通过与电性参数相关系数较大的物理特性参数预估电性参数。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||