| 发明名称 | 形成半导体器件的金属线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成半导体器件的金属线的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层和粘合层；去除一部分粘合层和绝缘层以形成沟槽；在包括沟槽和粘合层的半导体衬底之上形成金属层；以及，执行抛光工艺直至露出绝缘层，由此形成金属线。 | ||
| 申请公布号 | CN101154624A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610166775.1 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金正根;郑哲谟;金恩洙;洪承希 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的金属线的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层和粘合层；去除一部分所述粘合层和所述绝缘层以形成沟槽；在包括所述沟槽和所述粘合层的半导体衬底之上形成金属层；以及执行抛光工艺直至露出所述绝缘层，由此形成金属线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||