发明名称 | 半导体器件内的金属线及其形成方法 | ||
摘要 | 一种在半导体器件中的金属线包括:绝缘层,其具有形成于其中的沟槽;在所述绝缘层和所述沟槽上的形成的阻挡金属层;在所述阻挡金属层上形成的金属层,其中所述金属层填充所述沟槽;以及在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。 | ||
申请公布号 | CN101154646A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
申请号 | CN200710146018.2 | 申请日期 | 2007.09.05 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔容寿;金奎显 |
分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
主权项 | 1.一种半导体器件中的金属线,所述金属线包括:绝缘层,所述绝缘层具有形成在其中的沟槽;阻挡金属层,所述阻挡金属层形成在所述绝缘层和所述沟槽上;金属层,所述金属层形成在所述阻挡金属层上,其中所述金属层填充所述沟槽;和抗电蚀层,所述抗电蚀层形成在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |