| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有隔离区和包括栅极形成带的有源区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区内以暴露有源区的包括栅极形成带的部分的侧表面，以使得有源区的包含栅极形成带的部分组成鳍图案；硅外延层，形成于包含鳍图案的有源区上；以及栅极，形成以覆盖其上形成有硅外延层的鳍图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101154665A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710161782.7 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛东善;安尚太;宋锡杓;安贤珠 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;许向华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，有隔离区和具有栅极形成带的有源区；隔离层，形成于所述半导体衬底的隔离区内以暴露所述有源区的包含栅极形成带的部分的侧表面，这样所述有源区的包含所述栅极形成带的部分组成鳍图案；硅外延层，形成于包含所述鳍图案的所述有源区上；以及栅极，形成以覆盖其上形成有硅外延层的所述鳍图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||