一种纳米相变存储器单元的制备方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体为一种纳米相变存储器件的制备方法。它利用边墙技术构建纳米电极，通过形成纳米电极来减小电极接触面积。纳米线和相变材料或包含相变材料的复合层进行边沿式接触，接触面积的大小就是纳米线横截面积的大小，从而构建成完全突破光刻条件限制的纳米相变存储器单元结构。采用本发明方法制备的器件具有较小的写操作电流、较低的功耗，较快的读写速度，提高了器件性能。

主权项

1.一种纳米相变存储器单元的制备方法，其特征在于利用边墙技术来构建纳米电极，其步骤为：首先在衬底的介质层上形成凸起的台阶，再在介质层上淀积电极材料，刻蚀去掉水平部分电极材料，保留台阶侧壁部分，形成纳米电极线；打断纳米电极线，淀积相变材料或包含相变材料的复合层，形成边沿式纳米相变存储器单元结构。