半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括电容器元件的存储区、包括逻辑电路的逻辑区、以及位于存储区和逻辑区之间的边界区被提供在硅衬底上。存储区包括多个存储晶体管和存储晶体管连接插头。边界区包括位于和存储晶体管连接插头及逻辑晶体管连接插头相同的层中的伪接触插头。伪接触插头的顶面被第二绝缘层覆盖。电容器层和上电极的端部位置比伪接触插头更靠近存储区的内区。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在所述半导体衬底上的存储区，所述存储区包括提供在所述半导体衬底主面上的第一晶体管、覆盖所述第一晶体管的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上形成的电容器元件、以及把所述第一晶体管的扩散层和所述电容器元件连接起来的多个电容器接触插头；提供在所述半导体衬底上的逻辑区，所述逻辑区包括提供在所述半导体衬底上、并且被所述第一绝缘层覆盖的第二晶体管，以及在所述第一绝缘层上形成的互连层；以及形成在所述半导体衬底上的、位于所述存储区和所述逻辑区之间的边界区，所述边界区包括顶面被绝缘层覆盖、并位于所述第一绝缘层中的伪接触插头；其中组成所述电容器元件的导电层和电容器层终止于比所述伪接触插头更靠近所述存储区的内区的位置。