具有第二位效应抑制的局部分离浮置栅元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种用漏极耦合抑制局部分离浮置栅元件的第二位效应的方法。通过适当的设计栅极和漏极重叠的区域，以使漏极耦合系数能被控制，进而在进行逆向读取操作时能有效地抑制第二位效应。然而，改良过的逆向读取方法，例如“提升源极电压V_s”，也可被用来进一步改善漏极耦合效应而没有读取干扰。再者，漏极耦合可以改善沟道热电子注入的效率。

主权项

1.一种局部分离浮置栅元件，其特征在于其包括：一衬底，该衬底具有一第一源极漏极接合与一第二源极漏极接合；一第一氧化物区与一第二氧化物区，其中该第一氧化物区被定义在该第一源极漏极接合上，且该第二氧化物区被定义在该第二源极漏极接合上；一第一浮置栅，该第一浮置栅被定义在该第一源极漏极接合上并与该第一源极漏极接合具有一重叠部分，且该第一浮置栅邻近该第一氧化物区，当该第一源极漏极接合是用以作为一漏极时，该重叠部分是建立一漏极耦合度；以及一第二浮置栅，该第二浮置栅被定义与该第二源极漏极接合上并与该第二源极漏极接合具有一重叠部分，且该第二浮置栅邻近该第二氧化物区，当该第二源极漏极接合是用以作为一漏极时，该重叠部分是建立一漏极耦合度。