| 发明名称 | 等离子体增强化学气相淀积方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体增强化学气相淀积方法，所述等离子体增强化学气相淀积过程包含淀积和原位清洁步骤，所述淀积气体包括反应气体及辅助气体，所述辅助气体具有标准流量值；所述淀积气体通过第一气体通道通入反应室，所述原位清洁气体通过第二气体通道通入反应室；由所述第一气体通道通入反应气体及具有第一流量值的辅助气体；同时由所述第二气体通道通入具有第二流量值的辅助气体。采用本发明方法，抑制了反应物微粒的生成，进而减少了微粒缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101153385A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116842.9 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙海兵 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01);C23C16/448(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/365(2006.01) | 主分类号 | C23C16/513(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种等离子体增强化学气相淀积方法，所述等离子体增强化学气相淀积过程包含淀积和原位清洁步骤，所述淀积气体包括反应气体及辅助气体，所述辅助气体具有标准流量值；所述淀积气体通过第一气体通道通入反应室，所述原位清洁气体通过第二气体通道通入反应室；其特征在于：由所述第一气体通道通入反应气体及具有第一流量值的辅助气体；同时由所述第二气体通道通入具有第二流量值的辅助气体。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||