| 发明名称 | 制作半导体结构的方法与制作半导体结构的系统 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种用以制作半导体结构的方法与系统，其中此种半导体结构的基材上至少覆盖有一材料层。此材料层的至少一部分为至少一第一前驱物所蚀刻，因此需定义出至少一材料图样。依附于此材料图样上的电荷会随着至少一放电气体被移除。 | ||
| 申请公布号 | CN101154578A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710137622.9 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 左佳聪;岑翰儒;法玉祥 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体结构的方法，其特征在于该方法包含以下步骤：形成至少一材料层于一基材上；蚀刻该材料层的至少一部分以定义出至少一材料图样，其中是利用至少一第一前驱物蚀刻该材料层；以及移除该材料图样的多个电荷，其中是利用至少一放电气体移除上述电荷。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||