发明名称 |
金刚石上的氮化镓发光装置 |
摘要 |
在金刚石衬底上形成氮化镓装置,该装置例如用于发光二极管,以替代白炽灯泡和荧光灯泡。在一个实施方案中,以至少两种方法在金刚石上形成氮化镓二极管(或其他装置)。第一种方法包括在金刚石上生长氮化镓以及在该氮化镓层上构建所述装置。第二种方法包含将氮化镓(装置或薄膜)粘合到金刚石上,以及将所述装置构建到所粘合的氮化镓上。这些装置可以提供比白炽灯或荧光灯明显要高的效率,并且可以提供比其他技术显著要高的光密度或能量密度。利用类似的方法和结构可得到其他氮化镓半导体装置。 |
申请公布号 |
CN101155949A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200680008040.4 |
申请日期 |
2006.01.26 |
申请人 |
阿波罗钻石公司 |
发明人 |
R·C·里纳雷斯 |
分类号 |
C30B29/04(2006.01);H01L33/00(2006.01);C30B29/40(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/04(2006.01) |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
钟守期;唐铁军 |
主权项 |
1.一种方法,包括:将H2嵌入到金刚石衬底中以提供一个顶部可塑层;以及在嵌有H2的金刚石衬底上生长一层GaN。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |