| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置，其包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成在与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜。该阻挡膜包括8族元素中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101154647A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710161982.2 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 浅井周二;日高匡睦;黑泽直人;及川洋一;丹羽隆树 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成于与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜，其中阻挡膜包括8族元素中的至少一种。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||