| 发明名称 | 高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环 | ||
| 摘要 | 公开了一种高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环，反应室包含反应室盖、反应室侧壁、静电卡盘和气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其中，所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。本发明可使反应室内的气体等离子体的分布更为均匀，在无需改变工艺条件，不影响间隙填充质量的情况下，提高了所形成的薄膜的均匀性和平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN101153387A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116907.X | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘明源 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01);C23C16/448(2006.01);C23C16/52(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | C23C16/513(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种高密度等离子体沉积反应室，包含反应室盖、反应室侧壁、静电卡盘和气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其特征在于：所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||