有机半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。

主权项

1.一种有机半导体元件的制造方法，其具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻。