| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一及第二阳极扩散层(5、6)及(7、8)；形成于所述外延层(3)上的N型阴极扩散层(10A、11B)；按照包围所述第一及所述第二阳极扩散层且向所述阴极扩散层侧延伸的方式在所述外延层(3)上形成的P型第三阳极扩散层(9A)；所述第一、第二及第三阳极扩散层上形成的肖特基势垒用金属层(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN101154689A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710153470.1 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 菊池修一;大川重明;中谷清史;田中秀治 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01);H01L29/866(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L29/872(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：与一导电型半导体层隔开形成的反向导电型的第一及第二阳极扩散层；形成于所述半导体层上的一导电型阴极扩散层；包围所述第一及所述第二阳极扩散层且按照向所述阴极扩散层侧延伸的方式在所述半导体层上形成的反向导电型第三阳极扩散层；所述第一、第二及第三阳极扩散层上形成的肖特基势垒用金属层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||