隧道磁阻元件、磁头以及磁存储器

摘要

本发明提供一种具有大MR比的隧道磁阻(TMR)元件。这种TMR元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由MgO膜形成。磁化自由层由CoFeB膜形成。覆盖层通过紧接在CoFeB膜上面形成Ti膜而形成，使得Ti膜与CoFeB膜相接触。这样可以大大提高TMR元件的MR比。此外，将这种TMR元件应用于磁头和磁存储器(MRAM)，可以改善磁头和MRAM的性能。

主权项

1.一种隧道磁阻元件，包括：磁化固定层，其磁化方向固定；隧道阻挡层，形成在所述磁化固定层上；磁化自由层，形成在所述隧道阻挡层上，且由CoFeB膜形成，使得所述磁化自由层的磁化方向可变；覆盖层，包括Ti膜，并形成在所述磁化自由层上，使得所述Ti膜与所述磁化自由层相接触。