| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。本发明的选择图为图3。 | ||
| 申请公布号 | CN101154562A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710153243.9 | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/77(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：从衬底分离具有半导体元件且形成在所述衬底上的元件形成层，其中，在使用液体濡湿因分离所述元件形成层而露出的表面的同时，分离所述元件形成层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||