| 发明名称 | 半导体元件及具有金属硅化物的导线的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有金属硅化物的导线的制造方法，先于基底上，形成一层导体层。接着，于导体层上形成一层硬掩模层。然后，以硬掩模层为掩模，移除部份导体层。之后，于导体层及硬掩模层的侧壁形成一间隙壁。接下来，移除硬掩模层。随后，于导体层上形成一金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN100378952C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200510092045.7 | 申请日期 | 2005.08.16 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 杨立民;赖亮全 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底中形成一沟槽式半导体元件，该沟槽式半导体元件凸起于该基底表面；于该沟槽式半导体元件上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一图案化的硬掩模层；以该图案化的硬掩模层为掩模，依序移除部份该导体层及部分该第一介电层；于该第一介电层、该导体层及该图案化的硬掩模层的侧壁形成一间隙壁；移除该图案化的硬掩模层；以及于该导体层上形成一金属硅化物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||