| 发明名称 | 半导体器件的栅极制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上淀积含杂质多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成掩膜层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极图形；采用湿法腐蚀的方法削减所述栅极图形，形成具有精细线宽特征尺寸的栅极。本发明能够在不增加工艺复杂度的情况下进一步缩小栅极线宽特征尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101154573A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116881.9 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 马擎天;刘乒;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上淀积含杂质多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成掩膜层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极图形；削减所述栅极图形形成具有精细线宽特征尺寸的栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||