快闪存储器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种制造快闪存储器件的方法。该方法包括提供包括有源区和场区的半导体衬底。在有源区中形成隧道绝缘层和第一导电层，并在场区中形成隔离结构。该方法包括沿第一导电层和隔离结构的表面形成介电层，沿介电层的表面形成盖层，和在盖层上形成硬掩模层。该方法还包括实施第一蚀刻过程以蚀刻隔离结构上的盖层和介电层，从而形成孔。该方法还包括实施第二蚀刻过程移除硬掩模层，以在介电层中形成凹槽。此外，该方法包括在其中形成有孔和凹槽的结构上形成第二导电层。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括：提供包括有源区和场区的半导体衬底，其中在所述场区中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘层和第一导电层；在所述第一导电层上形成介电层；在所述介电层上形成盖层；在所述盖层上形成硬掩模层；蚀刻所述隔离结构上的所述盖层和所述介电层以形成孔；移除所述硬掩模层；和在其中形成有孔的所述盖层上形成第二导电层。