| 发明名称 | 双镶嵌结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种双镶嵌结构的形成方法，包括步骤：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；在所述层间介电层上和所述通孔内壁处形成一阻挡层；利用光刻胶在所述阻挡层上进行沟槽的图形化处理；刻蚀所述阻挡层和所述层间介电层形成沟槽；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。本方法可以防止光刻时衬底材料对光刻胶的毒化，改善了双镶嵌工艺中易出现的金属连线中断的问题，提高了双镶嵌结构的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101154622A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116880.4 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王向东;赵永红;高俊涛 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供一表面至少具有一导电区域的衬底；在所述衬底上形成一刻蚀停止层；在所述衬底上形成一层间介电层；利用光刻胶对所述层间介电层进行通孔的图形化处理，并刻蚀形成通孔；在所述层间介电层上和所述通孔内壁处形成一阻挡层；利用光刻胶在所述阻挡层上进行沟槽的图形化处理；刻蚀所述阻挡层和所述层间介电层形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔；在所述沟槽和所述通孔中填充导电材料；对所述导电材料进行研磨处理，形成双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||