发明名称 |
一种用于产生毫米波的集成芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种用于产生毫米波的集成芯片,该集成芯片包括:第一分布反馈激光器1、第二分布反馈激光器2和3dB耦合器3,所述第一分布反馈激光器1和第二分布反馈激光器2分别集成在3dB耦合器3相互平行的双臂上,且所述第一分布反馈激光器1、第二分布反馈激光器2和3dB耦合器3集成制作在同一磷化铟基片上。本发明提供的用于产生毫米波的集成芯片,具有结构紧凑,并且通过调谐两个分布反馈激光器的驱动电流快速调谐毫米波的频率,通过3dB耦合器把两个DFB激光器分开减少了它们之间的光串扰,增强了电学隔离,从而产生了连续可调的毫米波。 |
申请公布号 |
CN101154791A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200610152272.9 |
申请日期 |
2006.09.27 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵玲娟;谢红云;王路;朱洪亮;王圩 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01);H01S5/026(2006.01);H01S5/40(2006.01);H01L27/15(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种用于产生毫米波的集成芯片,其特征在于,该集成芯片包括:第一分布反馈激光器(1)、第二分布反馈激光器(2)和3dB耦合器(3),所述第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)分别集成在3dB耦合器(3)相互平行的双臂上,且所述第一分布反馈激光器(1)、第二分布反馈激光器(2)和3dB耦合器(3)集成制作在同一磷化铟InP基片上。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |