制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造快闪存储器件的方法。在包括单元区域和周边区域的半导体衬底上形成多个单元、多个选择晶体管和晶体管。在整个表面上形成绝缘层。蚀刻金属接触孔并利用金属接触层填充。还蚀刻漏极接触孔并利用漏极接触层填充。可以颠倒金属接触层形成和漏极接触层形成的顺序。实施单一化学机械抛光步骤以去除金属和漏极接触层的顶部，从而暴露间层绝缘层的顶表面并同时形成金属和漏极接触。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，包括步骤：在具有单元区域和周边区域的半导体衬底上形成多个单元、多个选择晶体管、和晶体管，其中，在所述单元区域中形成所述多个单元和所述多个选择晶体管，在所述周边区域中形成所述晶体管；在所述多个单元、所述多个选择晶体管、所述晶体管和所述半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻所述绝缘层以暴露邻近所述晶体管的结区，从而形成第一接触孔；沉积第一接触材料以填充所述第一接触孔；蚀刻所述第一接触材料和所述绝缘层以暴露邻近所述选择晶体管的漏极区域，从而形成第二接触孔；沉积第二接触材料以填充所述第二接触孔；和实施化学机械抛光(CMP)过程以暴露所述绝缘层的顶表面，从而形成第一接触和第二接触。