发明名称 | 闪速存储器件及其擦除方法 | ||
摘要 | 本发明涉及闪速存储器件及其擦除方法。该擦除方法包括:针对包括一组页的存储单元块执行擦除操作;执行擦除验证操作并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息;以及基于未擦除页信息,执行包括未擦除存储单元的页的另外的擦除操作。当未擦除单元存在时,擦除验证操作和另外的擦除操作被重复执行。 | ||
申请公布号 | CN101154454A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
申请号 | CN200710151719.5 | 申请日期 | 2007.09.27 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 王钟铉 |
分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李德山;杨生平 |
主权项 | 1.一种闪速存储器的擦除方法,该方法包括:对包括多个页的存储单元块执行擦除操作;执行擦除验证操作,并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息;以及基于未擦除页信息,对包括未擦除存储单元的页执行另外的擦除操作,其中当存在未擦除存储单元时,所述擦除验证操作和所述另外的擦除操作被重复地执行。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |