| 发明名称 | 制备有机金属化合物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备式M(L)<SUB>3</SUB>表示的有机金属化合物的方法，其中M为VIII族金属，例如钌，且L相同或者不同，且代表取代或未取代的酰胺根基团或者取代或未取代的酰胺根类基团，该方法包括(i)使取代或未取代的金属源化合物，例如钌(II)化合物，在溶剂存在下，并在足以产生包含所述有机金属化合物例如钌(III)化合物的反应混合物的反应条件下，与取代或未取代的酰胺根或酰胺根类化合物反应，和(ii)将所述有机金属化合物从所述反应混合物中分离。该有机金属化合物可作为薄膜沉积物的化学气相沉积前体或原子层沉积前体，用于半导体应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101155676A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200680010990.0 | 申请日期 | 2006.02.08 |
| 申请人 | 普莱克斯技术有限公司 | 发明人 | D·M·汤普森 |
| 分类号 | B29C39/00(2006.01);C23C16/18(2006.01) | 主分类号 | B29C39/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘冬;韦欣华 |
| 主权项 | 1.一种制备有机金属化合物的方法，所述方法选自以下：(1)制备式(L)2M(L’)2表示的有机金属化合物的方法，所述方法包括(i)使取代或未取代的式MX2R表示的金属源化合物在溶剂存在下，并在足以产生包含所述有机金属化合物的反应混合物的反应条件下，与取代或未取代的式A1L表示的酰胺根或酰胺根类化合物以及式L’表示的配体源反应，和(ii)将所述有机金属化合物从所述反应混合物中分离；和(2)制备式M(L)3表示的有机金属化合物的方法，所述方法包括(i)使取代或未取代的式MX2R表示的金属源化合物在溶剂存在下，并在足以产生包含所述有机金属化合物的反应混合物的反应条件下，与取代或未取代的式A1L表示的酰胺根或酰胺根类化合物反应，和(ii)将所述有机金属化合物从所述反应混合物中分离；其中M为VIII族金属，X为卤素基团，R为取代或未取代的烃基，A1为碱金属，L相同或不同，且代表取代或未取代的酰胺根基团或者取代或未取代的酰胺根类基团；且L’相同或不同，且代表N2 或者取代或未取代的含杂原子的基团。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||