| 发明名称 | 低损耗高频介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低损耗高频介质陶瓷及其制备方法，其原料及摩尔百分比为， Ag<SUB>2</SUB>O40-50％， Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 10-40％， Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 10-40％；外加 MnO<SUB>2</SUB> 重量百分比为1-3％。采用预合成先驱体方法，先制备出 (Nb<SUB>x</SUB>Ta<SUB>1-x</SUB>)<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> ，其中X＝0.2-0.8，再在先驱体中加入一定比例的分析纯 Ag<SUB>2</SUB>O ，让混合物在氧化气氛下反应生成 Ag(Nb<SUB>x</SUB>Ta<SUB>1-x</SUB>)O<SUB>3</SUB> ，其中X＝0.2-0.8，再按一定比例加入 MnO<SUB>2</SUB> 。本发明是制备高频介质器件的关键材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100378026C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200510016200.7 | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;孙晓东;明;王大鹏;王洪儒 |
| 分类号 | C04B35/01(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01B3/12(2006.01) | 主分类号 | C04B35/01(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 刘国威 |
| 主权项 | 1.一种低损耗高频介质陶瓷，其特征在于，其原料及摩尔百分比为，Ag2O 40-50％，Nb2O5 10-40％，Ta2O5 10-40％；外加MnO2重量百分比为1-3％；其制备方法的具体步骤如下：①将Nb2O5，Ta2O5分别按摩尔比10-40％及10-40％配料，用料∶去离子水∶磨球＝1∶1∶1.5的比例加入球磨罐，球磨4-6h；出料后于110℃烘干；再于1000-1200℃烧制成熔块；②在熔块中加入摩尔比为40-50％的Ag2O，用料∶去离子水∶磨球＝1∶1∶1.5的比例加入球磨罐，球磨6-12h；再于800-900℃烘干制得陶瓷粉体；③在陶瓷粉体中加入重量百分比为1-3％的MnO2，球磨4-6h，于110℃烘干；④加入重量百分比为7-9％的石蜡作为黏合剂造粒，压制成Ф10mm，厚度为1-1.5mm的圆片形生坯，经3.5h升温至550℃进行排蜡，再经2h升温至1050℃-1150℃煅烧，保温4-8h，制得陶瓷试样；⑤将所得试样上下表面涂覆银浆，经800℃-840℃烧渗制备电极；⑥焊接引线、测试分析后制得高频介质陶瓷。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||