发明名称 像素结构及其制造方法
摘要 一种像素结构及其制造方法,该像素结构适于配置在一透明基板上,其包括一扫描配线、一栅绝缘层、一数据配线、一遮光层、一介电层、一薄膜晶体管、一保护层、一接触窗以及一像素电极;其中,遮光层配置在透明基板的表面上且对应配置于数据配线的两侧,介电层配置在该数据配线与遮光层上方的栅绝缘层之间;其可以降低寄生电容量,并可避免因数据配线与其两侧的遮光层所产生的寄生电容不一致,而导致显示不均匀的情形。
申请公布号 CN101154670A 申请公布日期 2008.04.02
申请号 CN200710182062.9 申请日期 2002.11.28
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 黄淑仪;陈士元
分类号 H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1.一种像素结构,适于架构于一透明基板上,其特征在于:该像素结构包括:一扫描配线,配置在该透明基板上;一栅绝缘层,配置于该透明基板上,并覆盖住该扫描配线;一数据配线,配置于该栅绝缘层上,且该数据配线的延伸方向垂直于该扫描配线的延伸方向;一遮光层,配置在透明基板上并对应配置在该数据配线的两侧;一介电层,配置在该数据配线与该遮光层上方的该栅绝缘层之间;一薄膜晶体管,配置于该透明基板上,该薄膜晶体管包括一栅极、一信道层与一源极/漏极,其中该源极与该资料配线电性连接,该栅极与该扫描配线电性连接,该信道层配置在该栅极上方的该栅绝缘层上;一保护层,配置于该透明基板的上方,覆盖住该薄膜晶体管与该资料配线;一接触窗,配置在该保护层中;一像素电极,配置于该保护层上,其中该像素电极通过该接触窗而与该漏极电性连接。
地址 台湾省新竹