发明名称 |
形成微型化吸气剂沉积层的方法以及由此制得的吸气剂沉积层 |
摘要 |
公开了一种形成微型化吸气剂沉积层的方法,该方法包括:在基体(10)上形成光敏聚合物材料层(11);对聚合物层进行选择性曝光,以在部分聚合物层中发生化学改性;仅用溶剂除去聚合物层中已曝光或未曝光部分,以在聚合物层中形成孔穴(12,12’…);通过阴极沉积法在所述孔穴的底和剩余聚合物层上形成吸气剂材料的薄层(13);用第二溶剂除去第一溶剂未除去的聚合物部分,而在基体表面上留下至少一层吸气材料沉积层(131、131’,…;20)。本发明还涉及通过本方法获得的微型化吸气剂沉积层。 |
申请公布号 |
CN101156227A |
申请公布日期 |
2008.04.02 |
申请号 |
CN200680011659.0 |
申请日期 |
2006.04.11 |
申请人 |
工程吸气公司 |
发明人 |
M·莫拉加;A·孔特;S·瓜达尼沃洛 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F7/004(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
任宗华 |
主权项 |
1.一种形成微型化吸气剂沉积物(131,131’,...;20)的浮脱方法,该方法包括下述步骤:-在基体(10)上形成光敏聚合物材料层(11);-对至少部分聚合物层进行选择性曝光,以导致在所述聚合物层部分中发生化学改性;-用第一溶剂除去聚合物层中已在先曝光或未在先曝光部分之间仅一处,以在所述聚合物层中形成至少一个其底部壁是由基体表面构成的孔穴(12、12’,...);-借助阴极沉积方法在所述孔穴的底部和所述未被第一溶剂除去的聚合物层部分上形成吸气剂材料薄层(13);以及-用第二溶剂除去未被第一溶剂除去的所述聚合物部分,而在基体表面上至少留下吸气剂材料沉积物(131,131’,...;20);该方法的特征在于:在阴极沉积操作之前不进行用于在聚合物层下部形成凹陷的操作或处理步骤,并且进行阴极沉积操作的室压为约1与5帕之间、比功率为每平方厘米实际上受等离子体作用的靶面积6-13瓦。 |
地址 |
意大利米兰 |