形成源漏底部绝缘隔离的方法

摘要

本发明公开了一种形成源漏底部绝缘隔离的方法，依次包括：浅沟道绝缘形成、栅极绝缘氧化层形成和栅极多晶硅沉积及图形化刻蚀、源漏延伸区自对准注入、侧墙及外延源漏形成、高介电常数介质及金属栅形成，还包括：在栅极刻蚀后，源漏延伸区注入前，进行氧自对准注入，形成源漏区底部的绝缘隔离层。本发明的形成源漏底部绝缘隔离的方法既能有效削弱短沟道效应，又可阻止源/漏极与阱区的漏电，降低源/漏极的PN结电容，且扩大工艺窗口，进一步提高晶体管的性能。

主权项

1.一种形成源漏底部绝缘隔离的方法，依次包括：浅沟道绝缘形成、栅极绝缘氧化层形成和栅极多晶硅沉积及图形化刻蚀、源漏延伸区自对准注入、侧墙及外延源漏形成、高介电常数介质及金属栅形成，其特征在于，还包括：在栅极刻蚀后，源漏延伸区注入前，进行氧自对准注入，形成源漏区底部的绝缘隔离层。