| 发明名称 | 双镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层；在所述介质层上旋涂第一光刻胶层，并选择性曝光所述第一光刻胶层，通过显影冲洗去除被曝光的光刻胶；刻蚀所述未被第一光刻胶层覆盖的介质层，在所述介质层中形成第一开口；去除所述第一光刻胶层；用CLK888和双氧水的混合溶液清洗所述介质层表面；在所述第一开口中和介质层上形成牺牲层，在所述牺牲层上旋涂第二光刻胶层；选择性曝光、显影所述第二光刻胶层并通过刻蚀在所述介质层中形成第二开口。该方法中的清洗能够去除双镶嵌结构制造工艺中产生的光刻胶残渣。 | ||
| 申请公布号 | CN101154046A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200610116879.1 | 申请日期 | 2006.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 汪钉崇;王仁杰;杨小明 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层；在所述介质层上旋涂第一光刻胶层，并选择性曝光所述第一光刻胶层，通过显影冲洗去除被曝光的第一光刻胶层；刻蚀所述未被第一光刻胶层覆盖的介质层，在所述介质层中形成第一开口；去除所述第一光刻胶层；用碱性溶液清洗所述介质层表面；在所述第一开口中和介质层上形成牺牲层，在所述牺牲层上旋涂第二光刻胶层；选择性曝光、显影所述第二光刻胶层并通过刻蚀在所述介质层中形成第二开口。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||