非易失性存储器件的制造方法

摘要

一种制造非易失性存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成用以形成栅极的导电层；在导电层上方形成硬掩模；图案化硬掩模和单元区域的导电层以形成栅极；利用通过其开放周边区域的掩模对硬掩模部分开槽；和图案化该开槽的硬掩模和周边区域的导电层以形成栅极。

主权项

1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的周边区域中形成栅极绝缘层和第一导电层；在单元区域的半导体衬底和所述周边区域的第一导电层上方形成介电层和第二导电层；在所述第二导电层上方形成硬掩模层；图案化所述硬掩模、所述第二导电层和所述单元区域的介电层以形成第一栅极图案；图案化所述周边区域的硬掩模；蚀刻所述周边区域的硬掩模，使得所述单元区域和所述周边区域之间的台阶减小；和通过采用所述图案化硬掩模的蚀刻过程来形成所述周边区域中的第二栅极图案。