| 发明名称 | 剥离装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101154561A | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200710153241.X | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/77(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种从衬底上剥离形成在所述衬底上的包括结构物的层的剥离装置，包括：在改变包括所述结构物的层的形状的同时，从所述衬底上剥离所述包括结构物的层的单元；以及向通过剥离包括所述结构物的层而露出的表面供应液体的单元。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||