| 发明名称 | 存储器件及其存储方法 | ||
| 摘要 | 利用提高管理数据存储与检索能力的电路装置和方法，使半导体器件的可靠性和可操作性得到了改善。根据本发明的一个范例实施方案，存储器件包含有多个页面的可动态配置页表。该页表可动态配置为至少两种结构，且每个页面包括大量适于存放数据的存储器存储单元。利用一个控制器跟踪存储器的请求，并在存储器的刷新周期内将页表配置为至少两种结构之一，其中响应被跟踪的存储器请求进行该配置。因此，页表可用来提高数据存储与检索的有效性和速度。 | ||
| 申请公布号 | CN100378684C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN02800986.X | 申请日期 | 2002.03.25 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | V·阿南德 |
| 分类号 | G06F12/02(2006.01) | 主分类号 | G06F12/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波;王勇 |
| 主权项 | 1.一种存储器件(200)，包括：-页表(210)，它有多个页面，每一页面都有大量适于存储数据的存储器存储单元，该页表可被动态配置为全关联结构和组关联结构中的至少一种；-控制器(220)，适于跟踪存储器请求，并在存储器的刷新周期内将页表配置为两种结构之一，响应被跟踪的存储器请求进行该配置；其中控制器(220)适于维护两个计数器，第一计数器(222)适于跟踪表现为物理的和存储体的命中的页面差错；第二计数器(224)适于跟踪物理的和存储体的差错；其中第一(222)和第二(224)计数器适于存储表示每个计数器所被跟踪差错数的数值，其中控制器(220)还进一步适于比较存储的值，并响应物理的和存储体差错数大于表现为物理的和存储体命中的页面差错数将页表(210)配置成全关联；而响应表现为物理的和存储体的命中的页面差错数大于物理的和存储区差错数将页表(210)配置成组关联。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||