| 发明名称 | 光电转换器件和使用光电转换器件的摄像系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电转换器件和使用光电转换器件的摄像系统。在累积由入射光产生的电荷的光电转换区(3)，并将该光电转换区来的信号电荷输入放大用场效应晶体管(7)的光电转换器件中，光电转换区(3)用势垒区(选择氧化膜(1)和沟道阻断区(2)包围其周围，在势垒区的一部分发生缺损区(溢出用沟道(9))，与缺损区相邻配置场效应晶体管的，与光电转换区的导电型同一导电型的一方主电极区。因此，不会使过剩载流子流入相邻像素或其它浮动区。 | ||
| 申请公布号 | CN100379007C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200310119729.2 | 申请日期 | 2003.12.03 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 菊池伸 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L31/00(2006.01);H04N5/225(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种光电转换器件，具备具有累积由入射光产生的电荷的第一半导体区的光电转换区，并将来自该光电转换区的信号电荷输入到放大用场效应晶体管，其特征是：用势垒区包围所述第一半导体区的周围；使所述势垒区的一部分产生缺损以形成缺损区；与所述缺损区相邻配置所述场效应晶体管的、与所述第一半导体区的导电型同一导电型的源极区或漏极区。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||