| 发明名称 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一薄层氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。 | ||
| 申请公布号 | CN100379019C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200410009990.1 | 申请日期 | 2004.12.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;王梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一薄层氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||