介层洞优先双镶嵌的制造方法

摘要

一种介层洞优先双镶嵌的制造方法，先提供半导体基底，其上形成有介电层，其包括介层洞开孔；于介层洞开孔内填满一填缝高分子层；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，于该介层洞开孔内形成一高分子插塞，且该高分子插塞的暴露表面低于该介电层的一上表面，藉此形成一凹孔；于该介电层上形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层填满该凹孔；进行一光刻工艺，以于该介层洞开孔正上方的该光致抗蚀剂层中形成一沟槽导线图案，其中该沟槽导线图案具有一不与该介层洞开孔重叠的第一区段，且该第一区段的线宽固定，以及一线宽呈现渐缩状且与该介层洞开孔重叠的第二区段；再以该光致抗蚀剂层作为蚀刻屏蔽，经由该沟槽导线图案蚀刻该介电层。

主权项

1.一种介层洞优先双镶嵌的制造方法，包括：提供一半导体基底，其上形成有一介电层，其中该介电层包括一介层洞开孔；于该介层洞开孔内填满一填缝高分子层；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，于该介层洞开孔内形成一高分子插塞，且该高分子插塞的暴露表面低于该介电层的一上表面，藉此形成一凹孔；于该介电层上形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层填满该凹孔；进行一光刻工艺，以于该介层洞开孔正上方的该光致抗蚀剂层中形成一沟槽导线图案，其中该沟槽导线图案具有一不与该介层洞开孔重叠的第一区段，且该第一区段的线宽固定为L，以及一线宽呈现渐缩状且与该介层洞开孔重叠的第二区段；以及以该光致抗蚀剂层作为蚀刻屏蔽，经由该沟槽导线图案蚀刻该介电层。