横型接合型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。

主权项

1.一种横型接合型场效应晶体管，其特征在于，包括：位于半导体基板(2)上的包含第1导电型(p)杂质的第1半导体层(11)；位于所述第1半导体层(11)上，包含浓度高于所述第1半导体层(11)的杂质浓度的第2导电型(n)杂质的第2半导体层(12)；位于所述第2半导体层(12)上，包含第1导电型(p)杂质的第3半导体层(13)；位于所述第3半导体层(13)上，包含第2导电型(n)杂质的第4半导体层(14)；位于所述第4半导体层(14)上，包含第1导电型(p)杂质的第5半导体层(15)；在所述第5半导体层(15)中，设置成隔开所定的间隔且下面延伸到所述第2半导体层(12)，并包含浓度高于所述第2半导体层(12)及所述第4半导体层(14)的杂质浓度的第2导电型杂质的源区层和漏区层(6、8)；在所述第3半导体层中的所述源区层和漏区层(6、8)之间，设置成下面延伸到所述第2半导体层(12)，并包含浓度高于所述第2半导体层(12)的杂质浓度的第1导电型(p)杂质的第1栅电极层(18A)；以及在所述第5半导体层(15)中的所述源区层和漏区层(6、8)之间，设置成下面延伸到所述第4半导体层(14)，并具有与所述第1栅电极层(18A)大致相同的杂质浓度、且具有相同电位、包含第1导电型杂质(p)的第2栅电极层(18B)，所述第2半导体层、所述第3半导体层、所述第4半导体层及所述第5半导体层的杂质浓度大致相同。