去除半导体基片上的残余物的方法和设备

摘要

本发明概括性地涉及一种用于清洁基片的体系。更具体而言，本发明涉及一种使用在稠化二氧化碳基质中的反应性逆胶束或微乳化流体系从半导体基片包括硅晶片上化学去除残余物的方法。可使用在反应性胶束体系中的各种反应性化学试剂使蚀刻剂和金属残余物的清洁和去除达到满足工业规模的晶片生产和处理的程度。

主权项

1.一种从半导体基片去除残余物的方法，其包括下列步骤：提供稠化流体，其中该流体在标准温度和压力下是气体，并且其中该流体的密度高于该流体的临界密度；提供清洁成分；混合所述稠化流体和所述清洁成分，由此形成含反应性逆胶束或反应性聚集体的反应性清洁流体，和使基片上的残余物与所述反应性清洁流体接触一定的接触时间tr，由此使所述残余物化学改性并从所述基片上去除。