| 发明名称 | 溅射成膜装置 | ||
| 摘要 | 一种溅射成膜装置，其包括：配置于真空容器(30)的内部的一对靶(31)；与这一对靶(31)大致垂直，并配置于离开一对靶(31)构成的空间的位置上的基板托架(33)；在该基板托架(33)的附近通过余辉等离子体而产生反应用等离子体的等离子体源(37)；连接该等离子体源(37)和真空容器(30)的导入管(38)。由于可在基板托架(33)的附近生成由余辉等离子体构成的反应用等离子体，所以对体积特性接近的化合物薄膜没有等离子体造成的损伤，并可以在低基板温度下进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100378245C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200410076691.X | 申请日期 | 2004.07.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 野田俊成 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种溅射成膜装置，其包括：真空容器；一对靶，其配置于所述真空容器内；基板托架，其与所述一对靶相对的各表面大致垂直，并配置在离开所述一对靶相对的各表面间的空间的位置上；等离子体源，其产生高密度等离子体，作为该高密度等离子体的余辉等离子体在所述基板托架的附近产生反应用等离子体；导入管，其连接所述等离子体源和所述真空容器。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||