电子电路、系统、非挥发性存储器及其操作方法

摘要

本发明提供一种具有一非挥发性存储器系统，包括p型半导体基底、p型半导体基底上的氧化层、氧化层上的氮化层、氮化层上的增加的氧化层、增加的氧化层上的栅极、p型半导体层中的两N⁺连接区，以及个别地形成在N⁺连接区中的源极与漏极。在非挥发性存储器中有第一位与第二位，因而至少有两种操作状态。亦即，在非挥发性存储器的一个位可以是在抹除状态或是在程序化状态。在非挥发性存储器的栅极注入电子可抹除一位，而于一位中注入电洞或减少电子可程序化位。

主权项

1.一种电子电路，其特征是，该电子电路包括：一非挥发性存储器，包括一p型半导体基底、位于该p型半导体基底之上的一第一绝缘层、位于该第一绝缘层之上的一陷入层、位于该陷入层之上的一第二绝缘层、位于该第二绝缘层之上的一栅极，在该p型半导体基底中的二N+连接区，以及个别地形成在该些N+连接区上的一源极与一漏极；在该非挥发性存储器的至少一位中的该陷入层在一抹除状态中可被操作以保留电子，使该非挥发性存储器具有一启始电压，与在一读取操作中的一读取电流；以及一比较器，可分别接收该源极与该漏极的该读取电流，以分别读取该源极和该漏极的位而产生一第一输入讯息，并接收以一参考电压与一参考电流其中之一的类型的一第二输入讯息。